STGB35N35LZ-1
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| Teilenummer | STGB35N35LZ-1 |
| PNEDA Teilenummer | STGB35N35LZ-1 |
| Beschreibung | IGBT 345V 40A 176W I2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.928 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB35N35LZ-1 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB35N35LZ-1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB35N35LZ-1 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 345V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 15A |
| Leistung - max | 176W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 49nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 1.1µs/26.5µs |
| Testbedingung | 300V, 15A, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK (TO-262) |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 375W Schaltenergie 830µJ (on), 2.37mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/147ns Testbedingung 600V, 25A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 265ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/78ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 165A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 80A Leistung - max 830W Schaltenergie 4.3mJ (on), 1.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/90ns Testbedingung 450V, 80A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 5A Leistung - max 29.4W Schaltenergie 130µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/40ns Testbedingung 300V, 5A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 105A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 600W Schaltenergie 1.9mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 74nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/78ns Testbedingung 450V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
