STD120N4F6
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| Teilenummer | STD120N4F6 |
| PNEDA Teilenummer | STD120N4F6 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.620 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STD120N4F6 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STD120N4F6 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STD120N4F6 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3850pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ M6 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 63A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 31.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4360pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 390W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads Paket / Fall TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie PolarHT™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 714W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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