SSM5N16FUTE85LF
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| Teilenummer | SSM5N16FUTE85LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM5N16FUTE85LF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 0.1A USV |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.814 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM5N16FUTE85LF Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM5N16FUTE85LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SSM5N16FUTE85LF Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | π-MOSVI |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 200mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | USV |
| Paket / Fall | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-TSST Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead |
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