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SSM3K37MFV,L3F

SSM3K37MFV,L3F

Nur als Referenz

Teilenummer SSM3K37MFV,L3F
PNEDA Teilenummer SSM3K37MFV-L3F
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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SSM3K37MFV Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM3K37MFV,L3F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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SSM3K37MFV Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSIII
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.250mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds12pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)150mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketVESM
Paket / FallSOT-723

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 15V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-uSMD

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

2N7002TQ-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

115mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-523

Paket / Fall

SOT-523

IRFM120ATF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

IRF540

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

77mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

FDMS1D5N03

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

218A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.15mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9690pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

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