IRF7524D1GTRPBF
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| Teilenummer | IRF7524D1GTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF7524D1GTRPBF |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.340 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 30 - Apr 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRF7524D1GTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7524D1GTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
IRF7524D1GTRPBF, IRF7524D1GTRPBF Datenblatt
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IRF7524D1GTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | FETKY™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 15V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1.25W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-uSMD |
| Paket / Fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 18.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2610pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.78W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs (Max) +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3240pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 52W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 |
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