IRF7524D1GTRPBF
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| Teilenummer | IRF7524D1GTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF7524D1GTRPBF |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.340 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7524D1GTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7524D1GTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
IRF7524D1GTRPBF, IRF7524D1GTRPBF Datenblatt
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IRF7524D1GTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | FETKY™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 15V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1.25W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-uSMD |
| Paket / Fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK-7 Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
