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SS9015ABU

SS9015ABU

Nur als Referenz

Teilenummer SS9015ABU
PNEDA Teilenummer SS9015ABU
Beschreibung TRANS PNP 45V 0.1A TO-92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.478
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SS9015ABU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSS9015ABU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
SS9015ABU, SS9015ABU Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 66,56 KB)
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SS9015ABU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic700mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 1mA, 5V
Leistung - max450mW
Frequenz - Übergang190MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 3A, 4V

Leistung - max

80W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-218-3

Lieferantengerätepaket

TO-218

MJ15022G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

200V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 3.2A, 16A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 8A, 4V

Leistung - max

250W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-204 (TO-3)

2N2102

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

BC308ATA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N4918G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 500mA, 1V

Leistung - max

30W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-225AA

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