2N2102
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| Teilenummer | 2N2102 |
| PNEDA Teilenummer | 2N2102_8B |
| Beschreibung | TRANS NPN 65V 1A TO-39 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.328 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N2102 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N2102 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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2N2102 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 15mA, 150mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 2nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 10mA, 3V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket UMT3 |
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