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2N2102

2N2102

Nur als Referenz

Teilenummer 2N2102
PNEDA Teilenummer 2N2102_8B
Beschreibung TRANS NPN 65V 1A TO-39
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.328
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2N2102 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N2102
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2N2102, 2N2102 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 49,29 KB)
PDF2N2102 Datenblatt Cover
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2N2102 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 10V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-39

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BDV65

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

Leistung - max

125W

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-218-3

Lieferantengerätepaket

TO-218

2SA1869-Y(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

Leistung - max

10W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NIS

FCX493TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

DSA7004R0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 200mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

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