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SS8P5CHM3_A/H

SS8P5CHM3_A/H

Nur als Referenz

Teilenummer SS8P5CHM3_A/H
PNEDA Teilenummer SS8P5CHM3_A-H
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 8A 50V TO277A
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.474
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SS8P5CHM3_A/H Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSS8P5CHM3_A/H
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
SS8P5CHM3_A/H, SS8P5CHM3_A/H Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 94,73 KB)
PDFSS8P6CHM3/86A Datenblatt Cover
SS8P6CHM3/86A Datenblatt Seite 2 SS8P6CHM3/86A Datenblatt Seite 3 SS8P6CHM3/86A Datenblatt Seite 4 SS8P6CHM3/86A Datenblatt Seite 5

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SS8P5CHM3_A/H Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If700mV @ 4A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr50µA @ 50V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-277, 3-PowerDFN
LieferantengerätepaketTO-277A (SMPC)

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Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

7500V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

10V @ 200mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 7500V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Comchip Technology

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 25V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

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SOT-523

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GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20nA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

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Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 30mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300nA @ 30V

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125°C (Max)

Montagetyp

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Paket / Fall

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