MBR30035CTRL
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Teilenummer | MBR30035CTRL |
PNEDA Teilenummer | MBR30035CTRL |
Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER |
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.374 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 2 - Dez 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MBR30035CTRL Ressourcen
Marke | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | MBR30035CTRL |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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MBR30035CTRL Technische Daten
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 35V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 150A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 150A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 3mA @ 35V |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Twin Tower |
Lieferantengerätepaket | Twin Tower |
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STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 12A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 40ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TOP-3 Insulated Lieferantengerätepaket TOP-3I |