SS210L MQG
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Teilenummer | SS210L MQG |
PNEDA Teilenummer | SS210L-MQG |
Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 100V 2A SUB SMA |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.358 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SS210L MQG Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SS210L MQG |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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SS210L MQG Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-219AB |
Lieferantengerätepaket | Sub SMA |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 500V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 500V Kapazität @ Vr, F. 8pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 32pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerDI™ 323 Lieferantengerätepaket PowerDI™ 323 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 75V Current - Average Rectified (Io) 300mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 10mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 75V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, D Lieferantengerätepaket D-5D Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 2A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 2A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 35µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 70pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-PowerTSFN Lieferantengerätepaket PG-VSON-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |