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1N6642U

1N6642U

Nur als Referenz

Teilenummer 1N6642U
PNEDA Teilenummer 1N6642U
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.024
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1N6642U Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N6642U
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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1N6642U Datenblatt Seite 2

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1N6642U Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)300mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If800mV @ 10mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)5ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500µA @ 75V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSQ-MELF, D
LieferantengerätepaketD-5D
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

250A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 250A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

17mA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AB, DO-9, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AB, DO-9

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

MURA260T3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.45V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

MBRF735HC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

GP10GEHE3/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SDM2A40CSP-7B

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

470mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

14ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

81pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0603 (1608 Metric)

Lieferantengerätepaket

X3-WLB1608-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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