SQS966ENW-T1_GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SQS966ENW-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQS966ENW-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CHAN 60V |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.380 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SQS966ENW-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQS966ENW-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SQS966ENW-T1_GE3, SQS966ENW-T1_GE3 Datenblatt
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SQS966ENW-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 1.25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 572pF @ 25V |
| Leistung - max | 27.8W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount, Wettable Flank |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8W Dual |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 6V Leistung - max 6.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18.5A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.75mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 15V Leistung - max 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 505pF @ 20V Leistung - max 1W Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket SOT-28FL/VEC8 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V Leistung - max 3.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 10V Leistung - max 450mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0) |
