Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIA511DJ-T1-GE3

SIA511DJ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIA511DJ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIA511DJ-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.426
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIA511DJ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIA511DJ-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIA511DJ-T1-GE3, SIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 133,09 KB)
PDFSIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SIA511DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SIA511DJ-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SIA511DJ-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIA511DJ-T1-GE3
  • SIA511DJ-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SIA511DJ-T1-GE3 Stock

  • SIA511DJ-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SIA511DJ-T1-GE3
  • SIA511DJ-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIA511DJ-T1-GE3 Price
  • SIA511DJ-T1-GE3 Distributor

SIA511DJ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 6V
Leistung - max6.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SC-70-6 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SC-70-6 Dual

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MP6M14TCR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A, 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.3nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

MPT6

DMC6070LND-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

731pF @ 20V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

NVMFD5C650NLWFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 98µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2546pF @ 25V

Leistung - max

3.5W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

HP8K24TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC, 36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF, 2410pF @ 15V

Leistung - max

3W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-HSOP

SI1557DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.2A, 770mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

235mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

470mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

Kürzlich verkauft

BAT43WS-7-F

BAT43WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

ISL6124IRZA-T

ISL6124IRZA-T

Renesas Electronics America Inc.

IC POWER SUPPLY SEQUENCER 24QFN

LIS3MDLTR

LIS3MDLTR

STMicroelectronics

SENSOR MR I2C/SPI 12LGA

ADM1087AKSZ-REEL7

ADM1087AKSZ-REEL7

Analog Devices

IC SIMPLE SEQUENCER OD SC70-6

MBR140SFT1G

MBR140SFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

FMMT618TA

FMMT618TA

Diodes Incorporated

TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3

EPCQ64SI16N

EPCQ64SI16N

Intel

IC CONFIG DEVICE 64MBIT 16SOIC

MPQ8633BGLE-Z

MPQ8633BGLE-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 20A 21QFN

ISL6612AIBZ-T

ISL6612AIBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

AMT102-V

AMT102-V

CUI

ROTARY ENCODER INCREMENT PROGPPR

LTC1760IFW#PBF

LTC1760IFW#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC MANAGER BATTERY DUAL 48TSSOP

MAX14757EUE+

MAX14757EUE+

Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP