SPP73N03S2L08XK
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| Teilenummer | SPP73N03S2L08XK |
| PNEDA Teilenummer | SPP73N03S2L08XK |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 73A TO-220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.022 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SPP73N03S2L08XK Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SPP73N03S2L08XK |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SPP73N03S2L08XK, SPP73N03S2L08XK Datenblatt
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SPP73N03S2L08XK Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 73A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 36A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 55µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1710pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 107W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3-1 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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