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SP8K4TB

SP8K4TB

Nur als Referenz

Teilenummer SP8K4TB
PNEDA Teilenummer SP8K4TB
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 8.982
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SP8K4TB Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSP8K4TB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SP8K4TB, SP8K4TB Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 60,39 KB)
PDFSP8K4FU6TB Datenblatt Cover
SP8K4FU6TB Datenblatt Seite 2 SP8K4FU6TB Datenblatt Seite 3 SP8K4FU6TB Datenblatt Seite 4

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SP8K4TB Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1190pF @ 10V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A, 8.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI5933CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

144mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

276pF @ 10V

Leistung - max

2.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

DMN63D0LT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

FDMA1025P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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