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ALD310704ASCL

ALD310704ASCL

Nur als Referenz

Teilenummer ALD310704ASCL
PNEDA Teilenummer ALD310704ASCL
Beschreibung MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
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ALD310704ASCL Ressourcen

Marke Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerALD310704ASCL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ALD310704ASCL, ALD310704ASCL Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 506,54 KB)
PDFALD310704APCL Datenblatt Cover
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  • ALD310704ASCL Distributor

ALD310704ASCL Technische Daten

HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
FET-Typ4 P-Channel, Matched Pair
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id380mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A (Ta), 4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

87mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 15V

Leistung - max

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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TrenchFET®

FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

208A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Leistung - max

781W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A, 9.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2370pF @ 15V

Leistung - max

1.14W, 1.47W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 30V

Leistung - max

400mW

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