SMA5117
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| Teilenummer | SMA5117 |
| PNEDA Teilenummer | SMA5117 |
| Beschreibung | MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP |
| Hersteller | Sanken |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.020 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SMA5117 Ressourcen
| Marke | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SMA5117 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SMA5117 Technische Daten
| Hersteller | Sanken |
| Serie | - |
| FET-Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Leistung - max | 4W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 12-SIP |
| Lieferantengerätepaket | 12-SIP |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 10V Leistung - max 17.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |
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