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SI6925ADQ-T1-GE3

SI6925ADQ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI6925ADQ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI6925ADQ-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 3.006
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI6925ADQ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI6925ADQ-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI6925ADQ-T1-GE3, SI6925ADQ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 106,92 KB)
PDFSI6925ADQ-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI6925ADQ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max800mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

85pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

725mA, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

83pF @ 10V

Leistung - max

280mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 8.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Leistung - max

700mW, 1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A, 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 15.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Leistung - max

16.7W, 31W

Betriebstemperatur

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