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SK32E3/TR13

SK32E3/TR13

Nur als Referenz

Teilenummer SK32E3/TR13
PNEDA Teilenummer SK32E3-TR13
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.680
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SK32E3/TR13 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSK32E3/TR13
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SK32E3/TR13, SK32E3/TR13 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 105,5 KB)
PDFSK38E3/TR13 Datenblatt Cover
SK38E3/TR13 Datenblatt Seite 2

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SK32E3/TR13 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)20V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If500mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr500µA @ 20V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AB, SMC
LieferantengerätepaketDO-214AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 125°C

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1.6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

13pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

Lieferantengerätepaket

DO-220AA (SMP)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SB01-05C-TB-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

4.4pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

3-CP

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

BAS29_D87Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 90V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

GP20GHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AA, DO-27, Axial

Lieferantengerätepaket

GP20

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

VS-SD803C12S15C

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

845A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.89V @ 2655A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

45mA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

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Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

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