VS-SD803C12S15C
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| Teilenummer | VS-SD803C12S15C |
| PNEDA Teilenummer | VS-SD803C12S15C |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.2KV 845A B-43 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-SD803C12S15C Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-SD803C12S15C |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
VS-SD803C12S15C, VS-SD803C12S15C Datenblatt
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VS-SD803C12S15C Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 845A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.89V @ 2655A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 45mA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-200AA, A-PUK |
| Lieferantengerätepaket | B-43, Hockey PUK |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 15V Current - Average Rectified (Io) 19A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 360mV @ 19A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10.5mA @ 15V Kapazität @ Vr, F. 2000pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 10A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 125µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 325pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller STMicroelectronics Serie TURBOSWITCH™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 4A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 55ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
