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SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIZ904DT-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIZ904DT-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis
1 ---------- $6,9087
100 ---------- $6,5848
250 ---------- $6,2610
500 ---------- $5,9371
750 ---------- $5,6673
1.000 ---------- $5,3974
Auf Lager 258
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SIZ904DT-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIZ904DT-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIZ904DT-T1-GE3, SIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 231,11 KB)
PDFSIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SIZ904DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SIZ904DT-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds435pF @ 15V
Leistung - max20W, 33W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-PowerPair™
Lieferantengerätepaket6-PowerPair™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

53A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 25V

Leistung - max

180W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

APTC60HM70T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

APTM50AM24SCG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

434nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

19600pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

DMC4040SSD-13

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1790pF @ 20V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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