SIZ900DT-T1-GE3
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| Teilenummer | SIZ900DT-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIZ900DT-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.668 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIZ900DT-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIZ900DT-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIZ900DT-T1-GE3, SIZ900DT-T1-GE3 Datenblatt
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SIZ900DT-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 24A, 28A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 19.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1830pF @ 15V |
| Leistung - max | 48W, 100W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-PowerPair™ |
| Lieferantengerätepaket | 6-PowerPair™ |
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