SIZ900DT-T1-GE3 Datenblatt
SIZ900DT-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIZ900DT-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 19.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V Leistung - max 48W, 100W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket 6-PowerPair™ |
