SIZ322DT-T1-GE3
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| Teilenummer | SIZ322DT-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIZ322DT-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.472 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIZ322DT-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIZ322DT-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIZ322DT-T1-GE3, SIZ322DT-T1-GE3 Datenblatt
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SIZ322DT-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.35mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.1nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 12.5V |
| Leistung - max | 16.7W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-Power33 (3x3) |
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