Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIS990DN-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIS990DN-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.992
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIS990DN-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIS990DN-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIS990DN-T1-GE3, SIS990DN-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 570,69 KB)
PDFSIS990DN-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIS990DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIS990DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIS990DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIS990DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIS990DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIS990DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIS990DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIS990DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SIS990DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SIS990DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SIS990DN-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SIS990DN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIS990DN-T1-GE3
  • SIS990DN-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SIS990DN-T1-GE3 Stock

  • SIS990DN-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SIS990DN-T1-GE3
  • SIS990DN-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIS990DN-T1-GE3 Price
  • SIS990DN-T1-GE3 Distributor

SIS990DN-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 50V
Leistung - max25W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® 1212-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8 Dual

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

EFC6611R-TF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

6-CSP (1.77x3.54)

DMN2029UVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AON3814

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-DFN (2.9x2.3)

FDC6036P_F077

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

992pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

SIA907EDJ-T4-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Kürzlich verkauft

EN63A0QI

EN63A0QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-5.4V 65W

LTC6993IS6-1#TRMPBF

LTC6993IS6-1#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC MONO MULTIVIBRATOR TSOT23-6

7M24000020

7M24000020

TXC

CRYSTAL 24MHZ 18PF SMD

SMBJ12CA

SMBJ12CA

TVS DIODE 12V 19.9V SMB

0251007.NRT1L

0251007.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

BZT52C8V2S-7-F

BZT52C8V2S-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323

FDS6982AS

FDS6982AS

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO

PIC16F77-I/P

PIC16F77-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 40DIP

ML4841CP

ML4841CP

ON Semiconductor

IC CTRLR PFC/PWM VARIABLE 16DIP

IRLMS6702TRPBF

IRLMS6702TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

L298P

L298P

STMicroelectronics

IC BRIDGE DRIVER PAR 20POWERSO

XC6206P152MR-G

XC6206P152MR-G

Torex Semiconductor Ltd

1UA LOW QUIESCENT 3 TERMINAL, LO