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DMN2029UVT-7

DMN2029UVT-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN2029UVT-7
PNEDA Teilenummer DMN2029UVT-7
Beschreibung MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 5.148
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN2029UVT-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN2029UVT-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN2029UVT-7, DMN2029UVT-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 397,47 KB)
PDFDMN2029UVT-7 Datenblatt Cover
DMN2029UVT-7 Datenblatt Seite 2 DMN2029UVT-7 Datenblatt Seite 3 DMN2029UVT-7 Datenblatt Seite 4 DMN2029UVT-7 Datenblatt Seite 5 DMN2029UVT-7 Datenblatt Seite 6 DMN2029UVT-7 Datenblatt Seite 7

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DMN2029UVT-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie*
FET-Typ-
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

175A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 87.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

224nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V

Leistung - max

694W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

IRF7755TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

FDJ1027P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC75-6 FLMP

Lieferantengerätepaket

SC75-6 FLMP

NVMFD5C478NLT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.5A (Ta), 29A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Leistung - max

3.1W (Ta), 23W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

2N7002BKV,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

340mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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