SIDR610DP-T1-GE3
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| Teilenummer | SIDR610DP-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIDR610DP-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 59.808 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIDR610DP-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIDR610DP-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIDR610DP-T1-GE3, SIDR610DP-T1-GE3 Datenblatt
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SIDR610DP-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31.9mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8DC |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.12nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 257.3pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 28.4W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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