FDI038AN06A0
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Teilenummer | FDI038AN06A0 |
PNEDA Teilenummer | FDI038AN06A0 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.624 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDI038AN06A0 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FDI038AN06A0 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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FDI038AN06A0 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 17A (Ta), 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6400pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 310W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I2PAK (TO-262) |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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