SIA446DJ-T1-GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SIA446DJ-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIA446DJ-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.658 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SIA446DJ-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | SIA446DJ-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIA446DJ-T1-GE3, SIA446DJ-T1-GE3 Datenblatt
(Total Pages: 9, Größe: 262,88 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SIA446DJ-T1-GE3 Datasheet
- where to find SIA446DJ-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SIA446DJ-T1-GE3
- SIA446DJ-T1-GE3 PDF Datasheet
- SIA446DJ-T1-GE3 Stock
- SIA446DJ-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SIA446DJ-T1-GE3
- SIA446DJ-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SIA446DJ-T1-GE3 Price
- SIA446DJ-T1-GE3 Distributor
SIA446DJ-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | ThunderFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 177mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 75V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller IXYS Serie TrenchHV™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 102A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 750W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70FL/MCPH3 Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 220mA Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.6A (Ta), 34A(Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 810mW (Ta), 22.3W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerWDFN |
