SI9933CDY-T1-GE3
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| Teilenummer | SI9933CDY-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI9933CDY-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.269.108 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI9933CDY-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI9933CDY-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI9933CDY-T1-GE3, SI9933CDY-T1-GE3 Datenblatt
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SI9933CDY-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 10V |
| Leistung - max | 3.1W |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 160mA, 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.46nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 15V Leistung - max 125mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-963 Lieferantengerätepaket SOT-963 |
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