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FDD8424H

FDD8424H

Nur als Referenz

Teilenummer FDD8424H
PNEDA Teilenummer FDD8424H
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 288.684
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FDD8424H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDD8424H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDD8424H, FDD8424H Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 469,72 KB)
PDFFDD8424H-F085A Datenblatt Cover
FDD8424H-F085A Datenblatt Seite 2 FDD8424H-F085A Datenblatt Seite 3 FDD8424H-F085A Datenblatt Seite 4 FDD8424H-F085A Datenblatt Seite 5 FDD8424H-F085A Datenblatt Seite 6 FDD8424H-F085A Datenblatt Seite 7 FDD8424H-F085A Datenblatt Seite 8 FDD8424H-F085A Datenblatt Seite 9 FDD8424H-F085A Datenblatt Seite 10 FDD8424H-F085A Datenblatt Seite 11

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FDD8424H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9A, 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 20V
Leistung - max1.3W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
LieferantengerätepaketTO-252-4L

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

TSM250N02DCQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

775pF @ 10V

Leistung - max

620mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-TDFN (2x2)

APTM100TA35SCTPG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP6-P

FDC6506P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

UPA2381T1P-E1-A#YW

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

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-

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