SI8461DB-T2-E1
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Teilenummer | SI8461DB-T2-E1 |
PNEDA Teilenummer | SI8461DB-T2-E1 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 24.072 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI8461DB-T2-E1 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI8461DB-T2-E1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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SI8461DB-T2-E1 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 4-Microfoot |
Paket / Fall | 4-XFBGA, CSPBGA |
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