SI8461DB-T2-E1 Datenblatt
SI8461DB-T2-E1 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI8461DB-T2-E1
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 8V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-Microfoot Paket / Fall 4-XFBGA, CSPBGA |
