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SI7501DN-T1-GE3

SI7501DN-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7501DN-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI7501DN-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Hersteller Vishay Siliconix
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SI7501DN-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7501DN-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI7501DN-T1-GE3, SI7501DN-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 114,24 KB)
PDFSI7501DN-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI7501DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI7501DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI7501DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI7501DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI7501DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI7501DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI7501DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI7501DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 9

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SI7501DN-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel, Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.6W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® 1212-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8 Dual

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Ta), 3.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

369pF @ 10V, 440pF @ 10V

Leistung - max

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

NTLJD3181PZTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V

Leistung - max

710mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-WDFN (2x2)

JAN2N7335

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/599

FET-Typ

4 P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

750mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

-

IRF7755TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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8-TSSOP

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

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