Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI7434ADP-T1-RE3

SI7434ADP-T1-RE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7434ADP-T1-RE3
PNEDA Teilenummer SI7434ADP-T1-RE3
Beschreibung MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.974
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 4 - Feb 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI7434ADP-T1-RE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7434ADP-T1-RE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI7434ADP-T1-RE3, SI7434ADP-T1-RE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 236,98 KB)
PDFSI7434ADP-T1-RE3 Datenblatt Cover
SI7434ADP-T1-RE3 Datenblatt Seite 2 SI7434ADP-T1-RE3 Datenblatt Seite 3 SI7434ADP-T1-RE3 Datenblatt Seite 4 SI7434ADP-T1-RE3 Datenblatt Seite 5 SI7434ADP-T1-RE3 Datenblatt Seite 6 SI7434ADP-T1-RE3 Datenblatt Seite 7 SI7434ADP-T1-RE3 Datenblatt Seite 8 SI7434ADP-T1-RE3 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI7434ADP-T1-RE3 Datasheet
  • where to find SI7434ADP-T1-RE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI7434ADP-T1-RE3
  • SI7434ADP-T1-RE3 PDF Datasheet
  • SI7434ADP-T1-RE3 Stock

  • SI7434ADP-T1-RE3 Pinout
  • Datasheet SI7434ADP-T1-RE3
  • SI7434ADP-T1-RE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI7434ADP-T1-RE3 Price
  • SI7434ADP-T1-RE3 Distributor

SI7434ADP-T1-RE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieThunderFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 125V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)5W (Ta), 54.3W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® SO-8
Paket / FallPowerPAK® SO-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STD70N02L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI4896DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.56W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

24000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

520W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

SFT1342-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

15W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK/TP

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPD60R460CEAUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

Kürzlich verkauft

IXGH10N300

IXGH10N300

IXYS

IGBT 3000V 18A 100W TO247AD

SMBJ14A-13-F

SMBJ14A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 14V 23.2V SMB

PNZ108CLR

PNZ108CLR

Panasonic Electronic Components

SENSOR PHOTO 900NM TOP TO206AA

MAX13442EASA+T

MAX13442EASA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SO

W25Q64JVSFIQ

W25Q64JVSFIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC

DM74LS14M

DM74LS14M

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

ADM3490EARZ

ADM3490EARZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

TAJC226K025RNJ

TAJC226K025RNJ

CAP TANT 22UF 10% 25V 2312

ADM211ARSZ

ADM211ARSZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 4/5 28SSOP

TPSD107K010R0100

TPSD107K010R0100

CAP TANT 100UF 10% 10V 2917

IRF7853PBF

IRF7853PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

SMCJ36A-E3/57T

SMCJ36A-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB