IMW120R090M1HXKSA1
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| Teilenummer | IMW120R090M1HXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IMW120R090M1HXKSA1 |
| Beschreibung | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.394 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 3 - Mai 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IMW120R090M1HXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IMW120R090M1HXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IMW120R090M1HXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 26A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 707pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 115W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3-41 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
