Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI5471DC-T1-GE3

SI5471DC-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI5471DC-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI5471DC-T1-GE3
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.274
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI5471DC-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI5471DC-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI5471DC-T1-GE3, SI5471DC-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 221,82 KB)
PDFSI5471DC-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI5471DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI5471DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI5471DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI5471DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI5471DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI5471DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI5471DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI5471DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI5471DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI5471DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI5471DC-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI5471DC-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI5471DC-T1-GE3
  • SI5471DC-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI5471DC-T1-GE3 Stock

  • SI5471DC-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI5471DC-T1-GE3
  • SI5471DC-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI5471DC-T1-GE3 Price
  • SI5471DC-T1-GE3 Distributor

SI5471DC-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96nC @ 10V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2945pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket1206-8 ChipFET™
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AOTF4N60L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

615pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FDN5618P_G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.25A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SuperSOT-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2N7002E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21pF @ 5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMT10H009SPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IPI65R660CFDXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

660mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

615pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Kürzlich verkauft

BC817-16

BC817-16

Diodes Incorporated

TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3

LM239AD

LM239AD

STMicroelectronics

IC VOLT COMPARATOR QUAD 14-SOIC

DS18S20Z+T&R

DS18S20Z+T&R

Maxim Integrated

SENSOR DIGITAL -55C-125C 8SOIC

AS5263-HQFM

AS5263-HQFM

ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD

EPM7064STC44-10N

EPM7064STC44-10N

Intel

IC CPLD 64MC 10NS 44TQFP

OKL-T/6-W12P-C

OKL-T/6-W12P-C

Murata Power Solutions

DC DC CONVERTER 0.591-5.5V 30W

HX1198FNL

HX1198FNL

Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX

ACS712ELCTR-20A-T

ACS712ELCTR-20A-T

Allegro MicroSystems, LLC

SENSOR CURRENT HALL 20A AC/DC

SMBJ5.0CA-13-F

SMBJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

IRG4BC20KDSTRRP

IRG4BC20KDSTRRP

Infineon Technologies

IGBT 600V 16A 60W D2PAK

BC807-25,215

BC807-25,215

Nexperia

TRANS PNP 45V 0.5A SOT23

S202T01

S202T01

Sharp Microelectronics

SSR RELAY SPST-NO 2A 80-240V