Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDD9511L-F085

FDD9511L-F085

Nur als Referenz

Teilenummer FDD9511L-F085
PNEDA Teilenummer FDD9511L-F085
Beschreibung PT8P 40V LL DPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.100
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDD9511L-F085 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDD9511L-F085
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDD9511L-F085, FDD9511L-F085 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 202,75 KB)
PDFFDD9511L-F085 Datenblatt Cover
FDD9511L-F085 Datenblatt Seite 2 FDD9511L-F085 Datenblatt Seite 3 FDD9511L-F085 Datenblatt Seite 4 FDD9511L-F085 Datenblatt Seite 5 FDD9511L-F085 Datenblatt Seite 6 FDD9511L-F085 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDD9511L-F085 Datasheet
  • where to find FDD9511L-F085
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDD9511L-F085
  • FDD9511L-F085 PDF Datasheet
  • FDD9511L-F085 Stock

  • FDD9511L-F085 Pinout
  • Datasheet FDD9511L-F085
  • FDD9511L-F085 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDD9511L-F085 Price
  • FDD9511L-F085 Distributor

FDD9511L-F085 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)48.4W (Tj)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-PAK (TO-252)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT39F60J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IRF5210STRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2780pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 170W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTMSD6N303R2SG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

FETKY™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 24V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPC60R070C6X1SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

NTMFS5C645NLT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 79W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

Kürzlich verkauft

APT2012EC

APT2012EC

Kingbright

LED RED CLEAR CHIP SMD

2SA1943-O(Q)

2SA1943-O(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS PNP 230V 15A TO-3PL

1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

TDA04H0SB1R

TDA04H0SB1R

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

EMVY101ARA101MKE0S

EMVY101ARA101MKE0S

United Chemi-Con

CAP ALUM 100UF 20% 100V SMD

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

0ZCJ0025AF2E

0ZCJ0025AF2E

Bel Fuse

PTC RESET FUSE 24V 250MA 1206

CDRH127/LDNP-220MC

CDRH127/LDNP-220MC

Sumida

FIXED IND 22UH 4.7A 36.4 MOHM

MLX90614ESF-DCC-000-SP

MLX90614ESF-DCC-000-SP

Melexis Technologies NV

SENSOR DGTL -40C-85C TO39

SMBJ14CA

SMBJ14CA

Littelfuse

TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA

ESD9L3.3ST5G

ESD9L3.3ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 9V SOD923

RCLAMP0502N.TCT

RCLAMP0502N.TCT

Semtech

TVS DIODE 6.5V 30V SLP1210N6