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SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4948BEY-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI4948BEY-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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SI4948BEY-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4948BEY-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4948BEY-T1-E3, SI4948BEY-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 162,25 KB)
PDFSI4948BEY-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI4948BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI4948BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI4948BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI4948BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI4948BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI4948BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI4948BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 8

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SI4948BEY-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 98µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2546pF @ 25V

Leistung - max

3.5W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

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FDQ7698S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A, 15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1324pF @ 15V

Leistung - max

1.1W, 1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

14-SO

APTM50DUM25TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

149A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 74.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1200nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

29600pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

ALD212908APAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

63A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 25V

Leistung - max

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Betriebstemperatur

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