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ALD212908APAL

ALD212908APAL

Nur als Referenz

Teilenummer ALD212908APAL
PNEDA Teilenummer ALD212908APAL
Beschreibung MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
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Auf Lager 5.760
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ALD212908APAL Ressourcen

Marke Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerALD212908APAL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ALD212908APAL, ALD212908APAL Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 111,34 KB)
PDFALD212908APAL Datenblatt Cover
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ALD212908APAL Technische Daten

HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id20mV @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-PDIP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

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Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Sanken

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V

Leistung - max

4W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Toshiba Semiconductor and Storage

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

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6-UDFN (2x2)

SIZ328DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 10V, 600pF @ 10V

Leistung - max

2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)

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