SI4925DDY-T1-GE3
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| Teilenummer | SI4925DDY-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI4925DDY-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 92.844 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI4925DDY-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI4925DDY-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI4925DDY-T1-GE3, SI4925DDY-T1-GE3 Datenblatt
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SI4925DDY-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 15V |
| Leistung - max | 5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie SkyFET®, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2458pF @ 15V Leistung - max 3.3W, 3.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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