Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI4816DY-T1-GE3

SI4816DY-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4816DY-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI4816DY-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.298
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 30 - Apr 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI4816DY-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4816DY-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4816DY-T1-GE3, SI4816DY-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 139,53 KB)
PDFSI4816DY-T1-E3 Datenblatt Cover
SI4816DY-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI4816DY-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI4816DY-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI4816DY-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI4816DY-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI4816DY-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI4816DY-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI4816DY-T1-E3 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI4816DY-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI4816DY-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI4816DY-T1-GE3
  • SI4816DY-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI4816DY-T1-GE3 Stock

  • SI4816DY-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI4816DY-T1-GE3
  • SI4816DY-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI4816DY-T1-GE3 Price
  • SI4816DY-T1-GE3 Distributor

SI4816DY-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.3A, 7.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1W, 1.25W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FTCO3V455A1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SPM®

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.66mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

115W

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

19-PowerDIP Module

Lieferantengerätepaket

Module

SSM6N55NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-µDFN (2x2)

ECH8662-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 20V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

ALD1102BSAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI4913DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

MX30LF1G18AC-XKI

MX30LF1G18AC-XKI

Macronix

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

SMCJ24CAHE3/57T

SMCJ24CAHE3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB

0251002.NRT1L

0251002.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 2A 125VAC/VDC AXIAL

ASDMB-12.000MHZ-LC-T

ASDMB-12.000MHZ-LC-T

Abracon

MEMS OSC XO 12.0000MHZ LVCMOS

PIC18F2550-I/SO

PIC18F2550-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28SOIC

SBR3U60P1-7

SBR3U60P1-7

Diodes Incorporated

DIODE SBR 60V 3A POWERDI123

ACPL-C78A-000E

ACPL-C78A-000E

Broadcom

IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8SSO

IRFR5305PBF

IRFR5305PBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

MC33161DMR2G

MC33161DMR2G

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8MICRO

XC6204B252MR-G

XC6204B252MR-G

Torex Semiconductor Ltd

IC REG LINEAR 2.5V 150MA SOT25

MAX1111CPE+

MAX1111CPE+

Maxim Integrated

IC ADC 8BIT SAR 16DIP

MC7905CT

MC7905CT

ON Semiconductor

IC REG LINEAR -5V 1A TO220AB