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FTCO3V455A1

FTCO3V455A1

Nur als Referenz

Teilenummer FTCO3V455A1
PNEDA Teilenummer FTCO3V455A1
Beschreibung MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $309,3955
50 ---------- $294,8925
100 ---------- $280,3896
200 ---------- $265,8867
400 ---------- $253,8010
500 ---------- $241,7152
Auf Lager 60
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FTCO3V455A1 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFTCO3V455A1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FTCO3V455A1, FTCO3V455A1 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 998,31 KB)
PDFFTCO3V455A1 Datenblatt Cover
FTCO3V455A1 Datenblatt Seite 2 FTCO3V455A1 Datenblatt Seite 3 FTCO3V455A1 Datenblatt Seite 4 FTCO3V455A1 Datenblatt Seite 5 FTCO3V455A1 Datenblatt Seite 6 FTCO3V455A1 Datenblatt Seite 7 FTCO3V455A1 Datenblatt Seite 8 FTCO3V455A1 Datenblatt Seite 9 FTCO3V455A1 Datenblatt Seite 10 FTCO3V455A1 Datenblatt Seite 11

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FTCO3V455A1 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSPM®
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.66mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max115W
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall19-PowerDIP Module
LieferantengerätepaketModule

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

43A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

372nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10400pF @ 25V

Leistung - max

780W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

FDMS3620S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 13V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

Power56

FDG6303N-F169

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

300mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

BUK9K6R2-40E,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3281pF @ 25V

Leistung - max

68W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1205, 8-LFPAK56

Lieferantengerätepaket

LFPAK56D

SI3993DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

133mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

830mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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