SI4618DY-T1-GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SI4618DY-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | SI4618DY-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 9.779 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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SI4618DY-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI4618DY-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI4618DY-T1-GE3, SI4618DY-T1-GE3 Datenblatt
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SI4618DY-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A, 15.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1535pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.98W, 4.16W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A, 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 5.85mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1092pF @ 10V Leistung - max 1.7W, 2.5W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerSMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket HSO8-F3-B |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V Leistung - max 330mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket VS-8 (2.9x1.5) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.8mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1330pF @ 30V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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