SI4388DY-T1-GE3
Nur als Referenz
Teilenummer | SI4388DY-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI4388DY-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.760 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
SI4388DY-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI4388DY-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
SI4388DY-T1-GE3, SI4388DY-T1-GE3 Datenblatt
(Total Pages: 12, Größe: 138,32 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SI4388DY-T1-GE3 Datasheet
- where to find SI4388DY-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI4388DY-T1-GE3
- SI4388DY-T1-GE3 PDF Datasheet
- SI4388DY-T1-GE3 Stock
- SI4388DY-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SI4388DY-T1-GE3
- SI4388DY-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI4388DY-T1-GE3 Price
- SI4388DY-T1-GE3 Distributor
SI4388DY-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10.7A, 11.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 946pF @ 15V |
Leistung - max | 3.3W, 3.5W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 10V Leistung - max 7.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.8A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V Leistung - max 3.1W (Ta), 23W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3462pF @ 25V Leistung - max 68W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket LFPAK56D |
Alpha & Omega Semiconductor Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie SRFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1037pF @ 15V Leistung - max 3.6W, 4.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) |