SH8K37GZETB
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| Teilenummer | SH8K37GZETB |
| PNEDA Teilenummer | SH8K37GZETB |
| Beschreibung | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K37G |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.582 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SH8K37GZETB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SH8K37GZETB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SH8K37GZETB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 30V |
| Leistung - max | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller Serie - FET-Typ - FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 98pF @ 14V Leistung - max 2.86W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 24-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 16µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1105pF @ 25V Leistung - max 43W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 550mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.14nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 10V Leistung - max 330mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-666 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 30V, 1120pF @ 30V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1910pF @ 30V Leistung - max 5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
