SI4386DY-T1-GE3
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| Teilenummer | SI4386DY-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI4386DY-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.842 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI4386DY-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI4386DY-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SI4386DY-T1-GE3, SI4386DY-T1-GE3 Datenblatt
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SI4386DY-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.47W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 150mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250mW (Ta), 770mW (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-75 Paket / Fall SC-75, SOT-416 |
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