DN1509N8-G
Nur als Referenz
| Teilenummer | DN1509N8-G |
| PNEDA Teilenummer | DN1509N8-G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3 |
| Hersteller | Microchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.280 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DN1509N8-G Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | DN1509N8-G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- DN1509N8-G Datasheet
- where to find DN1509N8-G
- Microchip Technology
- Microchip Technology DN1509N8-G
- DN1509N8-G PDF Datasheet
- DN1509N8-G Stock
- DN1509N8-G Pinout
- Datasheet DN1509N8-G
- DN1509N8-G Supplier
- Microchip Technology Distributor
- DN1509N8-G Price
- DN1509N8-G Distributor
DN1509N8-G Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 360mA (Tj) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 200mA, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
| FET-Funktion | Depletion Mode |
| Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-243AA (SOT-89) |
| Paket / Fall | TO-243AA |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 106A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9575pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 375W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 115mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.55nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 48pF @ 5V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 240mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-523 Paket / Fall SOT-523 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2175pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DFN2020MD-6 Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 53.7A (Ta), 376A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.91mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8705pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 244W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFNW (8.3x8.4) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 10A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 4V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FI(LS) Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
