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SI3439KDW-TP

SI3439KDW-TP

Nur als Referenz

Teilenummer SI3439KDW-TP
PNEDA Teilenummer SI3439KDW-TP
Beschreibung N AND P-CHANNEL MOSFETSOT-363
Hersteller Micro Commercial Co
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SI3439KDW-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI3439KDW-TP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI3439KDW-TP, SI3439KDW-TP Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 645,05 KB)
PDFSI3439KDW-TP Datenblatt Cover
SI3439KDW-TP Datenblatt Seite 2 SI3439KDW-TP Datenblatt Seite 3 SI3439KDW-TP Datenblatt Seite 4 SI3439KDW-TP Datenblatt Seite 5

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SI3439KDW-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.750mA, 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds120pF, 113pF @ 16V
Leistung - max150mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A, 9.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

855pF @ 20V

Leistung - max

3.1W, 3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI9936DY

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A, 3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

914pF @ 6V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

4 P-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

180mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-PDIP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Leistung - max

3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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