NVMFD5875NLWFT3G
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| Teilenummer | NVMFD5875NLWFT3G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFD5875NLWFT3G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.832 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFD5875NLWFT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFD5875NLWFT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
NVMFD5875NLWFT3G, NVMFD5875NLWFT3G Datenblatt
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NVMFD5875NLWFT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
| Leistung - max | 3.2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 210A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall V2-PAK Lieferantengerätepaket V2-PAK |
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